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BSC190N12NS3 G /MOSFET N-Ch 120V 44A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC190N12NS3 G的规格信息
BSC190N12NS3 G的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TDSON-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:120 V

Id-连续漏极电流:44 A

Rds On-漏源导通电阻:19 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:26 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:69 W

配置:Single

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.27 mm

长度:5.9 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

类型:OptiMOS 3 Power-Transistor

宽度:5.15 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:45 S, 23 S

下降时间:4 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:16 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:22 ns

典型接通延迟时间:17 ns

零件号别名:BSC190N12NS3GATMA1 BSC19N12NS3GXT SP000652752

供应商BSC190N12NS3 G
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深圳市威雅利发展有限公司BSC190N12NS3 G华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司BSC190N12NS3 G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城（深圳）科技有限公司BSC190N12NS3 Gwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市鑫智腾创科技有限公司BSC190N12NS3 G深圳市福田区红荔路上航大厦西座410-813066809747
13066809747		李小姐Email:xiegp12@163.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司BSC190N12NS3 G深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
集好芯城BSC190N12NS3 G深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市高捷芯城科技有限公司BSC190N12NS3 G深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
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深圳市辉华拓展电子有限公司BSC190N12NS3 G深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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集好芯城BSC190N12NS3 G深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳市瑞浩芯科技有限公司BSC190N12NS3 G深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
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深圳市星宇佳科技有限公司BSC190N12NS3 G深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司BSC190N12NS3 G深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司BSC190N12NS3 G深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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深圳和润天下电子科技有限公司BSC190N12NS3 G深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司BSC190N12NS3 G深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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深圳市辰芯伟业科技有限公司BSC190N12NS3 G华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
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深圳市鑫晟源电子科技有限公司BSC190N12NS3 G深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
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BSC190N12NS3 G连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.6A 漏源电压（Vdss）：120V 栅源极阈值电压：4V @ 42uA 漏源导通电阻：19mΩ @ 39A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：69W(Tc) 类型：N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO656.51 Kbytes共10页BSC190N12NS3 G的PDF下载地址无
BSC190N12NS3 G的全球分销商及价格
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立创商城		BSC190N12NS3 GInfineon(英飞凌)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.6A 漏源电压（Vdss）：120V 栅源极阈值电压：4V @ 42uA 漏源导通电阻：19mΩ @ 39A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：69W(Tc) 类型：N沟道1+:￥11.28
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